Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Siemens et IFS s’associent pour boucler la boucle du cycle de vie produit grâce à l’IA industrielle

Les leaders de l’IA industrielle entendent relier conception, production et performance des actifs dans une boucle continue, de l’intention d’ingénierie au résultat opérationnel. Ce partenariat vise à améliorer la productivité et l’adaptabilité des industriels en connectant des systèmes de (...)

Keysight et WIN Semiconductors collaborent pour réduire les risques de conception des composants RF haute fréquence

Un nouveau workflow de conception de MMIC au GaN réduit les risques de fabrication pour la 5G, le satellite et la défense Keysight Technologies, Inc. (NYSE : KEYS) et WIN Semiconductors Corp. annoncent le lancement d’un workflow conjoint de conception de MMIC, permettant aux bureaux d’études (...)

ODU-MAC® RAPID : nouvelle variante de boîtier métallique

ODU propose une alternative au boîtier en plastique actuel

Le nouveau boîtier métallique ODU-MAC® RAPID est une variante supplémentaire de la gamme ODU-MAC® RAPID. L’utilisation du métal à la place du plastique permet d’obtenir une épaisseur de paroi plus fine. Cela rend ce boîtier idéal pour les systèmes où l’espace est limité, en particulier dans les secteurs du (...)

Würth Elektronik ICS présente le Splitter C2-PE4

Une solution robuste pour des connexions de masse durablement fiables Les connexions de masse desserrées ou corrodées provoquent régulièrement des problèmes dans les véhicules utilitaires et les engins mobiles. Avec le Splitter C2-PE4, Würth Elektronik ICS propose une solution simple permettant de (...)

XJTAG étend le support des contrôleurs FTDI

XJTAG démocratise le test électronique L’interopérabilité accrue des solutions de test simplifie les flux de travail pour les ingénieurs hardware et réduit le besoin en matériel propriétaire. L’optimisation des processus de test et de programmation en environnement industriel franchit une nouvelle (...)

Toshiba lance un MOSFET de puissance canal N de 1,4 mΩ et 80 V destiné aux équipements industriels à haut rendement

La gamme U-MOS11-H offre de faibles pertes et une capacité de courant de drain élevée dans un boîtier compact de 4,9 × 6,1 mm Düsseldorf, Allemagne, le 30 juin 2026 – Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPM1R408RH, un MOSFET de puissance canal N de 80 V basé sur sa toute dernière (...)

En nommant Moussa Zaghdoud à la tête de sa nouvelle division IPS, Alcatel-Lucent accélère sa transformation vers un leadership dans les infrastructures alimentées par l’IA, les plateformes cloud et les communications numériques

ALE International, opérant sous la marque Alcatel-Lucent, annonce la nomination de Moussa Zaghdoud au poste de Vice-Président Exécutif des Infrastructures, Plateformes et Services (IPS) et Chief Technology Officer (CTO). Cette nomination marque une étape décisive dans la transformation de (...)

Nouveau chez norelem : Dispositifs de commande et de signalisation avec contacteurs externes

Permettant des commandes de commutation fiables et des indications de statuts parfaitement claires norelem élargit sa gamme de produits en proposant désormais des dispositifs de commande et de signalisation avec contacteurs externes. Les boutons sont conçus pour permettre le déclenchement sécurisé (...)

Samsung et SK Hynix : Hub géant pour l’IA

La Corée du Sud verrouille le futur de l’IA Un investissement colossal de 518 milliards de dollars pour sécuriser l’avenir des mémoires HBM et des puces IA face à une demande mondiale explosive. Le paysage industriel des semi-conducteurs vient de connaître un séisme stratégique majeur. Le 29 juin (...)

OMRON dévoile de nouveaux relais MOSFET en carbure de silicium (SiC) pour les alimentations haute tension et les applications de test

Les nouveaux dispositifs G3VH de 1 800 et 3 300 V ouvrent la voie à une électrification plus efficace et plus légère Hoofddorp, Pays-Bas, le 1 juillet 2026 - OMRON Electronic Components Europe a lancé ses nouveaux relais G3VH à MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrant des tensions nominales de 3 (...)