Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Littelfuse a annoncé la commercialisation du transistor de puissance MOSFET Ultra-Junction MMIX1T500N20X4 de classe X4. Ce MOSFET de 200 V, 480 A à canal N affiche une résistance à l’état passant (RDS (on)) exceptionnellement faible, soit tout juste 1,99 mΩ, qui offre une efficacité de conduction supérieure, une gestion thermique simplifiée et une meilleure fiabilité du système dans des conceptions à haute densité de puissance.
Le MMIX1T500N20X4 utilise un boîtier SMPD-X isolé haute performance à base de céramique refroidi par le haut pour une gestion thermique optimale. Comparé aux solutions de pointe MOFSET de classe X4 existantes, le dispositif offre des courants nominaux jusqu’à 2× plus élevés et un RDS(on) inférieur de 63 %, ce qui permet aux ingénieurs de consolider plusieurs dispositifs à faible courant parallèles pour obtenir une solution à courant élevé unique.
Tension de blocage de 200 V, très faible RDS(on) de 1,99 mΩ pour des pertes de conduction réduites au minimum. Réduction du nombre de dispositifs parallèles nécessaires grâce à la capacité de courant élevée (ID = 480 A). Boîtier isolé compact SMPD-X avec une isolation de 2 500 V et une meilleure résistance thermique (Rth(j-c) = 0,14 °C/W). Réduction des exigences en matière de puissance de commande de grille grâce à la faible charge de grille (Qg = 535 nC). Gestion thermique simplifiée avec un boîtier refroidi par le haut.
Ensemble, ces caractéristiques fournissent une densité de puissance plus élevée, un nombre de composants réduit et facilitent l’assemblage. Le résultat : des conceptions de systèmes plus efficaces, fiables et rentables.
Le MMIX1T500N20X4 est idéal pour les applications suivantes :
Commutateurs de charge CC Systèmes de stockage d’énergie de batteries Alimentations électriques industrielles et de processus Infrastructure de charge industrielle Drones et plateformes de décollage et d’atterrissage vertical (ADAV)
« Les nouveaux dispositifs permettent aux concepteurs de consolider plusieurs dispositifs à faible courant parallèles pour obtenir un dispositif unique à courant élevé. Ceci simplifie la conception et réduit le nombre de composants », déclare Antonio Quijano, Product Marketing Analyst chez Littelfuse. « La fiabilité des systèmes est améliorée, l’implémentation de la commande de grille rationalisée, et l’efficacité de la densité de puissance ainsi que de la zone de PCB est accrue. »
Le MMIX1T500N20X4 a un RDS (on) de 1,99 mΩ pour un courant nominal de 480 A, ce qui réduit les pertes de conduction et l’émission de chaleur. Remplacer plusieurs MOSFET parallèles par un dispositif unique simplifie les étapes de conception, diminue le nombre de composants et accroît l’efficacité globale du système.
Ce MOSFET est idéal pour les systèmes à courant élevé et à tension basse à modérée dont l’efficacité et la fiabilité sont essentielles. Des utilisations typiques incluent les commutateurs de charge CC, le stockage d’énergie de batteries, les alimentations électriques industrielles, l’infrastructure de charge et l’électronique de puissance des drones et d’ADAV.
Le boîtier haute performance à base de céramique SMPD-X offre une excellente résistance thermique (Rth(j-c) = 0,14 °C/W) et une isolation de 2 500 VRMS qui rendent possible une densité de puissance plus élevée et un fonctionnement plus sûr. Sa conception à refroidissement par le haut simplifie la gestion thermique, réduit la taille du système et améliore la fiabilité à long terme.
Le MMIX1T500N20X4 est disponible en tubes (20 unités) ou dans le format bande et bobine (160/bobine).
