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Le RDS(ON) est réduit (typ.) dans un boîtier DFN8x8 pour un rendement élevé dans les circuits d’alimentation où l’espace est limité

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a ajouté les MOSFET de puissance à canal N DTMOSVI 600 V HSD (diode haute vitesse) à la série DTMOSVI 600 V dotée d’une structure superjonction. Ces six nouveaux produits sont disponibles en boîtiers TO-247, TOLL et DFN8x8, offrant ainsi aux ingénieurs un large choix de solutions alliant capacité de puissance, performances thermiques, rendement de commutation et possibilités de miniaturisation pour répondre à divers besoins applicatifs. . L’un des produits phares est le TK058V60Z5, qui offre une résistance à l’état passant drain-source (RDS(ON)) ultra-faible de 0,050 Ù (typ.) dans un boîtier DFN 8×8. Les applications incluent les alimentations à découpage (switched-mode power supplies, SMPS) pour serveurs de centres de données, les alimentations sans interruption (UPS) et les conditionneurs de puissance photovoltaïque.

Les nouveaux produits utilisent une technologie de contrôle de la durée de vie qui introduit intentionnellement des défauts dans la diode afin d’améliorer la vitesse de recombinaison des porteurs. Cette technique améliore les performances de récupération inverse de la diode de corps, une exigence essentielle pour les applications de ponts et d’onduleurs. Par rapport à la série DTMOSVI 600 V existante de Toshiba sans diode de récupération rapide intégrée, le temps de récupération inverse (trr) a été réduit d’environ 60 % et la charge de récupération inverse (Qrr) d’environ 85 % (conditions de mesure : VDD = 400 V, VGS = 0 V, IDR = 20 A, -dIDR/dt = 100 A/µs, Ta = 25 °C).

Dans la série DTMOS VI 600 V, y compris les nouveaux produits, la conception et le procédé de fabrication optimisés de la grille par Toshiba permettent de réduire le facteur de mérite RDS(ON) multiplié par la charge totale de grille (Qg) d’environ 36 %, et le facteur RDS(ON) multiplié par la charge grille-drain (Qgd) d’environ 52 %, par rapport à la génération précédente de Toshiba, la série DTMOS IV-H de même tension nominale. Il en résulte une diminution des pertes par conduction, des pertes de pilotage et des pertes de commutation, contribuant à améliorer le rendement des circuits d’alimentation.

Toshiba propose des outils facilitant la conception de circuits pour les alimentations à découpage. Outre le modèle G0 SPICE, qui permet de vérifier rapidement le bon fonctionnement du circuit, des modèles G2 SPICE à haute précision, reproduisant les caractéristiques transitoires, sont désormais disponibles. Le simulateur de circuits en ligne de Toshiba permet aux ingénieurs de vérifier le fonctionnement des circuits sans avoir à créer un environnement de simulation ni à télécharger de modèles de composants.

Toshiba continuera d’élargir sa gamme DTMOSVI afin d’améliorer l’efficacité des alimentations à découpage pour équipements industriels, dans le but d’atteindre la neutralité carbone.