Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Renesas élargit sa gamme de produits GaN avec ses premiers FET GaN basse tension destinés aux Data Centers d’IA et à la robotique

La nouvelle gamme de transistors de puissance avancés GaN mode-E de 100 V offre une densité de puissance plus élevée et une référence en terme de performance dans le secteur de l’industrie Renesas Electronics Corporation, l’un des principaux fournisseurs de solutions avancées à semi-conducteurs, a (...)

Keysight collabore avec des instituts de recherche pour simplifier les tests des composants semi-conducteurs de nouvelle génération

La nouvelle méthodologie de mesure permet une caractérisation continue sur plaquette, de la quasi-courant continu jusqu’à 250 GHz, en un seul balayage Winnersh, Royaume-Uni, le 6 octobre 2026 – Keysight Technologies, Inc. (NYSE : KEYS) a collaboré avec l’université de Glasgow, le National Physical (...)

Toshiba lance un module MOSFET SiC 3300 V destiné aux équipements industriels

Une capacité élevée à supporter les courants de surtension contribue à améliorer la fiabilité du système Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a annoncé aujourd’hui l’élargissement de sa gamme avec le lancement de l’IX800FXF2YMS4, un module à double MOSFET SiC. Ce nouveau module offre une capacité (...)

Farnell intègre Amphenol Nexus Technologies pour renforcer ses solutions de connectivité robustes à l’échelle mondiale

Ce partenariat permet d’élargir l’accès à des solutions de connecteurs et de commutation robustes, adaptées aux applications de communication et de contrôle les plus exigeantes Leeds, Royaume-Uni – le 6 octobre 2026 : Farnell a annoncé un nouveau partenariat avec Amphenol NEXUS Technologies, (...)

Nouveauté chez Mouser : transistors GaN GaNEXUS d’onsemi pour l’IA, l’industrie, l’énergie et la robotique

Mouser Electronics, Inc., le distributeur leader de l’industrie dans l’introduction de nouveaux produits (NPI) avec la plus large sélection de composants électroniques et de semi-conducteurs™, propose désormais les nouveaux transistors à effet de champ en nitrure de gallium (GaN FET) GaNEXUS™ (...)

L’interopérabilité : un sujet clé dans le monde des télécoms

Par Grégory ROGÉ chez Snom France

La modernisation de la téléphonie professionnelle est aujourd’hui un projet stratégique qui doit être étudié avec attention par l’ensemble des organisations. Historiquement réservée aux grands comptes, cette dernière est désormais un levier de compétitivité important pour toutes les entreprises, et (...)

Farnell a nommé la Dre Sara Ghaemi au poste de Directrice régionale des ventes pour les régions Benelux et DACH

Cette responsable des ventes et experte technique met à profit une solide expertise en ingénierie, développement commercial et distribution afin de renforcer l’engagement de Farnell auprès de ses clients Farnell a annoncé la nomination de la Dre Sara Ghaemi au poste de Directrice régionale des (...)

TRENDnet lance un nouveau switch industriel Gigabit PoE+ à 6 ports avec accès frontal mural

Le switch industriel Gigabit PoE+ 6 ports à accès frontal mural de TRENDnet (modèle TI-PG62F) est idéal pour les réseaux de vidéosurveillance IP, l’IoT et l’automatisation des applications résidentielles et professionnelles. Ce switch industriel Gigabit plat et robuste offre un accès frontal aux ports (...)

Mouser distribue désormais les nouveaux microcontrôleurs RA0E3 de Renesas pour les applications grand public et industrielles

Mouser Electronics, Inc., distributeur mondial agréé de composants électroniques et de solutions d’automatisation industrielle les plus récents, propose dès aujourd’hui les nouveaux microcontrôleurs (MCU) RA0E3 de Renesas Electronics. Ces MCU sont spécialement conçus pour les projets à budget contraint (...)

Renesas dévoile le premier composant GaN 650 V de l’industrie en boîtier 8 x 8 mm refroidi sur les deux faces

Les centres de données d’IA à l’échelle du mégawatt Le refroidissement sur les deux faces (Dual Side Cooling - DSC) réduit de 57 % l’encombrement du boîtier par rapport au TOLT, ce qui permet d’intégrer davantage de puissance dans des racks à l’échelle du mégawatt où l’espace est limité. L’une des (...)