
Renesas Electronics Corporation (TSE : 6723), l’un des principaux fournisseurs de solutions avancées à semi-conducteurs, a annoncé aujourd’hui le lancement de sa troisième génération (Gen 3) de solutions de chipsets DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-Line Memory Module), offrant des vitesses de MRDIMM DDR5 de classe serveur pouvant atteindre 16 000 méga-transferts par seconde (MT/s). Ces nouvelles solutions sont conçues pour répondre à la demande croissante en bande passante mémoire plus élevée, stimulée par les centres de données d’intelligence artificielle (IA), les infrastructures cloud et les centres de calculs intensifs.
Renesas présentera ses composants d’interface mémoire destinés aux modules MRDIMM de 3e génération lors du salon FMS 2026 (Future of Memory and Storage Conference), qui se tiendra à Santa Clara, en Californie, du 4 au 6 août 2026 (Stand n° 807). Parmi ces composants figurent des pilotes d’horloge à enregistrement multiplexé (MRCD, RRG5013x) et des buffers de données multiplexés (MDB, RRG5103x) de troisième génération, qui prennent en charge les performances des modules MRDIMM de nouvelle génération.
À mesure que les modèles d’IA gagnent en complexité et que les charges de travail informatiques deviennent de plus en plus gourmandes en données, les architectes système sont confrontés à des défis croissants pour offrir une bande passante mémoire plus élevée tout en préservant la compatibilité avec les plateformes de serveurs existantes. Les solutions MRDIMM de 3e génération de Renesas offrent une bande passante mémoire supérieure de 25 % à celle de ses solutions de deuxième génération, tout en continuant à utiliser l’infrastructure DDR5 existante. Les plateformes de serveurs peuvent ainsi tirer davantage de performances sans avoir à procéder à des changements architecturaux radicaux.
Renesas continue de proposer une plateforme MRDIMM éprouvée sur le terrain et prête pour la production, qui englobe les MRCD, les MDB, les circuits intégrés de gestion de l’alimentation (PMIC), les concentrateurs SPD (Serial Presence Detect) et les capteurs de température. Cette approche par plateforme permet aux clients de faire évoluer les performances des MRDIMM d’une génération à l’autre tout en assurant la continuité de la conception et en accélérant le déploiement.
La MRDIMM Gen 3 s’appuie sur l’architecture MRDIMM éprouvée introduite avec la Gen 2, en améliorant les performances tout en conservant les formats DIMM standard et la compatibilité avec les systèmes. La Gen 3 apporte également des améliorations en termes de visibilité et de robustesse du système, notamment l’indicateur d’état de qualité du mode d’auto-apprentissage de l’égalisation des périphériques (DESTM), qui permet aux utilisateurs d’ajuster avec précision la synchronisation et l’apprentissage de l’égalisation du récepteur afin d’optimiser les marges.
Outre les gains de performances, les solutions MRDIMM Gen 3 de Renesas ont été conçues dans un souci d’efficacité énergétique au niveau du système, afin d’aider les clients à concilier les besoins croissants en bande passante avec les contraintes thermiques et énergétiques au niveau du système. Des comparaisons détaillées en matière de consommation d’énergie seront fournies dans la documentation produit.

« AMD soutient depuis longtemps les technologies ouvertes et basées sur des normes qui stimulent l’innovation dans les data center et offrent une plus grande flexibilité à mesure que les charges de travail liées à l’IA et au calcul haute performance (HPC) continuent d’évoluer », a déclaré Amit Goel, vice-président corporate chargé de l’ingénierie des solutions de calcul et des plateformes d’IA d’entreprise chez AMD. « Les innovations en matière de formats de mémoire de nouvelle génération, tels que le MRDIMM et le chipset de Renesas, sont essentielles pour aider le secteur à offrir une bande passante plus élevée, une meilleure efficacité et une évolutivité continue des plateformes. »
« Les charges de travail liées à l’entraînement et à l’inférence en IA redéfinissent fondamentalement les exigences en matière de mémoire système pour les infrastructures de centres de données », a déclaré Sameer Kuppahalli, vice-président et directeur général de la division Interfaces mémoire chez Renesas. « Pour répondre à l’appétit insatiable de ces charges de travail en matière de capacité mémoire et de débit, Renesas continue de montrer la voie au secteur en proposant sa 3e génération de composants de chipsets pour MRDIMM. Nos clients utilisent l’ensemble des composants de chipsets de Renesas afin de repousser encore plus loin les limites du débit et de la capacité mémoire. »
Renesas travaille en étroite collaboration avec ses principaux partenaires spécialisés dans les processeurs et les plateformes afin de faciliter l’adoption de la technologie MRDIMM Gen 3 dans les futures plateformes de serveurs, renforçant ainsi le rôle de la MRDIMM en tant qu’architecture mémoire évolutive pour les infrastructures d’IA et de cloud de nouvelle génération.
Les modules MRDIMM Gen 3 MRCD (RRG5013x) et MDB (RRG5103x) de Renesas sont actuellement proposés en échantillons à certains clients, notamment à tous les principaux fournisseurs de DRAM. La mise en production est prévue au second semestre 2027. Pour plus d’informations sur les solutions d’interface mémoire de Renesas, rendez-vous sur https://www.renesas.com/ddr5 Pour obtenir des détails supplémentaires sur ces nouveaux produits, veuillez envoyer un e-mail à mid@lm.renesas.com ou consulter le site http://www.renesas.com