Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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L’architecture avancée Near-DUT offre une excellente intégrité du signal à haute vitesse, un niveau élevé de parallélisme et une plateforme de test évolutive et flexible pour accompagner les innovations technologiques des mémoires DRAM et NAND de dernière génération.
Teradyne, fournisseur leader de systèmes de test automatique pour l’électronique et la robotique avancée, annonce Magnum E2, un système de test mémoire haute vitesse de nouvelle génération conçu pour prendre en charge les technologies DRAM et flash les plus avancées, notamment LPDDR6, DDR6, GDDR7 et la mémoire flash NAND. Basé sur l’architecture éprouvée Near-DUT Test (NDT) de Teradyne, qui constitue le socle de la plateforme Magnum EPIC, déjà largement déployée sur le marché, Magnum E2 prend en charge aussi bien les tests en production que les essais nécessaires au cours du développement de nouveaux dispositifs, couvrant l’ensemble du parcours, de la qualification à la production en grand volume, sur une plateforme matérielle et logicielle commune.
Alors que l’IA accélère le rythme de l’innovation dans le domaine des mémoires, Magnum E2 garantit que les mémoires haute vitesse au cœur des centres de données dédiés à l’IA répondent aux exigences de performance et de fiabilité requises par les applications d’intelligence artificielle les plus avancées. Les dispositifs DRAM et flash atteignent des vitesses toujours plus élevées et adoptent des interfaces d’E/S offrant davantage de canaux ainsi que la signalisation PAM3, afin de permettre des temps d’entraînement plus courts et une latence réduite lors de l’inférence. Cette évolution nécessite un système de test offrant un plus grand nombre de broches, un niveau de parallélisme accru et la prise en charge des signaux NRZ et PAM3, tout en préservant l’intégrité du signal : un défi auquel Magnum E2 est spécifiquement conçu pour répondre.
« La mémoire intégrée à un accélérateur d’IA est aussi essentielle aux performances du système que le die de calcul lui-même, et les exigences en matière de test n’ont jamais été aussi complexes », a déclaré Ben Han, président de la division Memory Test de Teradyne. « Avec l’introduction sur le marché de DRAM avancées et de mémoires flash NAND haute vitesse pour les SSD d’entreprise, nos clients ne peuvent pas se permettre une plateforme de test qui les oblige à choisir entre l’intégrité du signal et le débit. Magnum E2 a été conçu pour éliminer ce compromis et offrir aux principaux fabricants de mémoires une plateforme qu’ils peuvent qualifier dès aujourd’hui et faire évoluer au fil du temps, en fonction des besoins futurs du marché. »
Amélioration du rendement à haute vitesse : les instruments numériques sont placés à proximité du dispositif sous test (DUT) afin de préserver l’intégrité du signal et de protéger la marge des signaux dynamiques, qui tend à se réduire dans les architectures conventionnelles.
Prise en charge des protocoles de nouvelle génération : la prise en charge des signaux haute vitesse NRZ, PAM3 et PAM4, associée à une architecture de générateur de motifs flexible et programmable sur une plateforme matérielle commune, permet de gérer les standards DRAM et NAND actuels et émergents sans avoir à remplacer le système de test.
Test mémoire et logique sur une seule plateforme : la capacité intégrée de test logique accompagne la convergence des tests mémoire et logique, permettant aux clients de regrouper les différentes étapes de test et de réduire la complexité globale des programmes de test.
À mesure que l’intelligence artificielle stimule l’innovation vers de nouvelles générations de mémoires, des centres de données dédiés à l’IA jusqu’à l’edge computing, les fabricants de mémoires doivent pouvoir effectuer des tests à des vitesses toujours plus élevées, avec des signaux d’interface flexibles, un niveau de parallélisme accru et une prise en charge plus large des protocoles. Teradyne met ainsi à leur disposition une plateforme telle que Magnum E2, capable de relever ces défis dès aujourd’hui et d’accompagner l’évolution des technologies de mémoire dans le temps.
